荷蘭FCD-Tech晶振具有SMD封裝和IDP封裝,具有2016mm~8045mm體積,基于連接到晶體諧振器的電子元件的負載的初始頻率,具有多種頻率容差供應客戶選擇.在一定溫度范圍內(nèi)的頻率容差,以及耐高溫度,ESR等效串聯(lián)電阻等重要參數(shù)為用戶提供多種選擇.
遙遙領先希華石英晶體諧振器隱知識解析，晶振電路無信號輸出？
步驟1-1。請檢查SMD晶振輸入端(Xin)和輸出端(Xout)的電壓，并檢查電壓是否符合IC規(guī)范。
步驟1-2。請卸載晶體，并使用專業(yè)測試機器測試其頻率和負載電容，看看它們是否振動并符合您的規(guī)格。您也可以將其發(fā)送給供應商，讓他們?yōu)槟M行測試。
步驟1-3。如果晶體不振動，其負載電容與您的規(guī)格不匹配，或者當前頻率與您的目標頻率之間存在巨大差距，請將晶體發(fā)送給您的供應商進行質(zhì)量分析。
步驟1-4。如果頻率和負載電容符合你的規(guī)格，但問題也存在。需要執(zhí)行振蕩電路評估。您也可以將其發(fā)送給供應商，讓他們?yōu)槟M行測試。
步驟1-5。下圖所示為一般振蕩電路，其中Cd和Cg為外部負載電容，Rf為反饋電阻，Rd為限流電阻。
負電阻(-R)是評價振蕩電路好壞的標準，其值至少應為晶振電阻的5倍，以維持穩(wěn)定的振蕩。因此，按照以下說明測量負電阻非常重要:
(1)將電阻(Rx)與晶體串聯(lián)
(2)從振蕩的起點到終點調(diào)整Rx的值。
(3)測量振蕩期間Rx的值。
(4)你將能夠獲得負電阻的值，|-R| = Rx + Re，Re =有效晶體電阻。
步驟1-6。如果IC的負電阻太低，無法驅(qū)動電路，我們提出三種解決方案來改善這種情況。
(1)降低限制電阻器(Rd)的值。但是，您還應該確認頻移和晶體驅(qū)動電流是否同時符合規(guī)格。
(2)降低外部電容(Cg和Cd)的值，采用負載電容(CL)較低的其他晶體。
(3)采用電阻(Rr)較低的晶體。遙遙領先希華石英晶體諧振器隱知識解析.
領先同行瑞薩石英晶體振蕩器的電路，振蕩器是任何微控制器系統(tǒng)的核心，因此在設計中應給予適當?shù)年P注，以確保設計盡可能可靠。
我們都可以設計一個正常工作的振蕩器，但要在所有元件的容差范圍內(nèi)設計一個能在生產(chǎn)中正常工作的振蕩器，卻需要一點努力。典型的瑞薩微控制器用戶手冊將提供一個或多個典型的振蕩器電路(通常由示例中使用的晶體或陶瓷諧振器的供應商推薦給瑞薩)，以及等效振蕩器電路的簡單規(guī)格。
可靠振蕩所需的確切電路可能因OSC振蕩器而異，也可能受到電路板布局和環(huán)境條件的影響。在任何情況下，我們都強烈建議設計人員聯(lián)系所選的振蕩器供應商，向他們詢問適合其設計的推薦電路，并自行測試振蕩器，以確定所需的振蕩器電路參數(shù)。
對于許多應用，陶瓷諧振器可以提供良好的低成本解決方案；然而，如果需要更高的穩(wěn)定性和更精確的定時，晶體提供了最佳的解決方案。然而，在低功率應用中，Q值較高的晶體啟動時間要慢得多。事實上，頻率越低，啟動時間越長；一個32千赫的晶體可能需要1 - 3秒啟動。
在許多微控制器中，需要仔細考慮晶體漂移和穩(wěn)定性的影響，尤其是對于需要時鐘功能的應用；然而，振蕩器性能的知識可以允許在軟件中進行校正。
瑞薩微控制器上最常用的振蕩器設計是皮爾斯振蕩器，如下所示。
內(nèi)部反相器的輸出通過外部有源晶振電路反饋到其輸入端，形成一個不穩(wěn)定的反饋環(huán)路。當振蕩器的輸出延遲足以提供360°相位延遲時，穩(wěn)定的振蕩得以持續(xù)。晶體與負載電容C1和C2一起提供了一個調(diào)諧電路，可以穩(wěn)定振蕩頻率
Rf反饋電阻器-這在第一個逆變器周圍提供負反饋，并確保逆變器工作在其線性區(qū)域。這在晶體振蕩器中很少需要，但在使用陶瓷諧振器時經(jīng)常需要，以確保振蕩器正確啟動。建議典型值在1MOhm范圍內(nèi)。一些瑞薩微控制器有內(nèi)部反饋電阻。
Rd -阻尼電阻–這是一個串聯(lián)電阻，旨在防止振蕩器過激勵。通常，如果C1和C2選擇正確，這不是必需的。該電阻有幾個作用:穩(wěn)定反饋電路的相位，降低較高頻率下的環(huán)路增益；通過在逆變器輸出端放置Rd，輸出電阻增加，電流降低。Rd還與C2一起構成一個低通濾波器，可以大大減少不必要的振蕩模式。Rd的典型值在250 - 500歐姆范圍內(nèi)
C1和C2 -負載電容-負載電容與晶體或諧振器一起提供180°的相位滯后，共同提供啟動和維持振蕩的能量。
晶體或陶瓷諧振器的工作會受到一系列環(huán)境效應的影響，例如溫度和濕度，以及電路參數(shù)，例如工作電壓。
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