遙遙領(lǐng)先希華石英晶體諧振器隱知識解析，晶振電路無信號輸出？
步驟1-1。請檢查SMD晶振輸入端(Xin)和輸出端(Xout)的電壓，并檢查電壓是否符合IC規(guī)范。
步驟1-2。請卸載晶體，并使用專業(yè)測試機(jī)器測試其頻率和負(fù)載電容，看看它們是否振動(dòng)并符合您的規(guī)格。您也可以將其發(fā)送給供應(yīng)商，讓他們?yōu)槟M(jìn)行測試。
步驟1-3。如果晶體不振動(dòng)，其負(fù)載電容與您的規(guī)格不匹配，或者當(dāng)前頻率與您的目標(biāo)頻率之間存在巨大差距，請將晶體發(fā)送給您的供應(yīng)商進(jìn)行質(zhì)量分析。
步驟1-4。如果頻率和負(fù)載電容符合你的規(guī)格，但問題也存在。需要執(zhí)行振蕩電路評估。您也可以將其發(fā)送給供應(yīng)商，讓他們?yōu)槟M(jìn)行測試。
步驟1-5。下圖所示為一般振蕩電路，其中Cd和Cg為外部負(fù)載電容，Rf為反饋電阻，Rd為限流電阻。
負(fù)電阻(-R)是評價(jià)振蕩電路好壞的標(biāo)準(zhǔn)，其值至少應(yīng)為晶振電阻的5倍，以維持穩(wěn)定的振蕩。因此，按照以下說明測量負(fù)電阻非常重要:
(1)將電阻(Rx)與晶體串聯(lián)
(2)從振蕩的起點(diǎn)到終點(diǎn)調(diào)整Rx的值。
(3)測量振蕩期間Rx的值。
(4)你將能夠獲得負(fù)電阻的值，|-R| = Rx + Re，Re =有效晶體電阻。
步驟1-6。如果IC的負(fù)電阻太低，無法驅(qū)動(dòng)電路，我們提出三種解決方案來改善這種情況。
(1)降低限制電阻器(Rd)的值。但是，您還應(yīng)該確認(rèn)頻移和晶體驅(qū)動(dòng)電流是否同時(shí)符合規(guī)格。
(2)降低外部電容(Cg和Cd)的值，采用負(fù)載電容(CL)較低的其他晶體。
(3)采用電阻(Rr)較低的晶體。遙遙領(lǐng)先希華石英晶體諧振器隱知識解析.
步驟2-1。如果頻率計(jì)測得的頻率超出限值，我們應(yīng)增加外部電容CL(或Cd & Cg的值)，以將頻率降低至我們的目標(biāo)頻率，反之亦然。
第2-2步。如果頻率遠(yuǎn)高于目標(biāo)頻率，我們可以采用電容較低的晶體，反之亦然。
晶體參數(shù)的測試方法是什么？
將“pi電路”連接到具有測量等效常數(shù)功能的網(wǎng)絡(luò)分析儀，并進(jìn)行測量。JIS和IEC規(guī)定了“pi電路”的形狀和內(nèi)部電阻，如下所示。
如何描繪振蕩器電路的工作原理？
晶體控制振蕩器可被視為由一個(gè)放大器和一個(gè)反饋網(wǎng)絡(luò)組成，該反饋網(wǎng)絡(luò)選擇放大器輸出的一部分并將其返回到放大器輸入。這種電路的一般描述如下所示。
為了使振蕩器電路工作，必須滿足兩個(gè)條件:(A)環(huán)路功率增益必須等于1。(B)環(huán)路相移必須等于0、2π、4π等。弧度
什么是串聯(lián)或并聯(lián)諧振頻率？
從下圖可以明顯看出，壓電石英晶體單元有兩個(gè)零相位頻率。第一個(gè)，或兩者中較低的，是串聯(lián)諧振頻率，通常縮寫為Fs。零相位的兩個(gè)頻率中的第二個(gè)或更高的頻率是平行或反諧振頻率，通常縮寫為Fa。在振蕩器電路中，串聯(lián)和并聯(lián)諧振頻率都表現(xiàn)為電阻性。在串聯(lián)諧振點(diǎn)，電阻最小，電流最大。
在并聯(lián)點(diǎn)，電阻最大，電流最小。因此，并聯(lián)諧振頻率Fa不得用作振蕩器電路的控制頻率。
通過在振蕩器電路的反饋回路中包含電抗元件(通常是電容器),可以使石英晶體單元在串聯(lián)和并聯(lián)諧振點(diǎn)之間的線上的任意點(diǎn)振蕩。fs和fa頻率由壓電陶瓷材料及其物理參數(shù)決定。等效電路常數(shù)可由以下公式確定:
晶體的CL值是多少？它對什么有影響？
所有石英晶體諧振器都有一個(gè)串聯(lián)諧振頻率(fs，最低阻抗的頻率)。在此頻率下，晶體在電路中表現(xiàn)為阻性。通過增加與晶體串聯(lián)的電抗(電容),可以將晶體從這個(gè)串聯(lián)頻率中“拉出來”。當(dāng)與外部負(fù)載電容(CL)一起工作時(shí)，晶體在略高于其串聯(lián)諧振頻率的頻率范圍內(nèi)振蕩。這是并聯(lián)(負(fù)載諧振)頻率。
訂購并聯(lián)晶振時(shí)，務(wù)必指定標(biāo)稱并聯(lián)諧振頻率和負(fù)載電容，單位為皮法(pF)。例如，可以訂購CL的標(biāo)準(zhǔn)值(如15pF );然后計(jì)算電容值以匹配晶體C1。
Mfr Part #
Mfr
Supplier
Description
Series
Frequency
Frequency Tolerance
Load Capacitance
XTL721-Q23-048
Siward
Siward
CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL
XTL72
32.768 kHz
±20ppm
6pF
XTL721-S349-005
Siward
Siward
CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL
XTL72
32.768 kHz
±20ppm
7pF
XTL721-S999-301
Siward
Siward
CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL
XTL72
32.768 kHz
±20ppm
9pF
XTL721-S999-429
Siward
Siward
CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL
XTL72
32.768 kHz
±20ppm
6pF
XTL741-S999-319
Siward
Siward
CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL
XTL74
32.768 kHz
±20ppm
9pF
XTL741-U11-402
Siward
Siward
CRYSTAL 32.768K晶振 20PPM CRYSTAL
XTL74
32.768 kHz
±20ppm
7pF
XTL741-S999-298
Siward
Siward
CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL
XTL74
32.768 kHz
±20ppm
12.5pF
XTL741-S999-379
Siward
Siward
CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL
XTL74
32.768 kHz
±20ppm
7pF
XTL741-S999-327
Siward
Siward
CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL
XTL74
32.768 kHz
±20ppm
4pF
XTL721-S999-286
Siward
Siward
CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL
XTL72
32.768 kHz
±20ppm
12.5pF
XTL751-S999-544
Siward
Siward
CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL
XTL75
32.768 kHz
±20ppm
12.5pF
XTL751-S999-548
Siward
Siward
CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL
XTL75
32.768 kHz
±20ppm
9pF
XTL751-S999-420
Siward
Siward
CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL
XTL75
32.768 kHz
±20ppm
7pF
負(fù)載頻率取決于CL值，其公式如下所示。
如果輸出晶振頻率高于目標(biāo)頻率，則應(yīng)增加外部電容CL(或Cd & Cg的值)，以將頻率降至目標(biāo)頻率。另一種方法是，如果頻率高于中心頻率，則采用電容較低的晶體。
晶體的頻率牽引能力不夠或牽引范圍不對稱。
(1)如下圖所示，電路的負(fù)載電容與牽拉性成反比。結(jié)果表明，負(fù)載電容越小，頻率牽引范圍越大，反之亦然。
(2)另一方面，無源晶體特性也影響頻率牽引范圍。例如，有配平靈敏度(TS)、一氧化碳和C1。負(fù)載電容增量變化的小數(shù)頻率變化稱為TS。當(dāng)C1變大或Co變小時(shí)，頻率牽引能力變大。
(3)如果提拉范圍不對稱，即一邊提拉不夠，另一邊提拉太大，我們可以調(diào)整晶體的負(fù)載電容值。
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