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EPSON晶振,貼片晶振,FA-118T晶振,X1E0002510009晶振

頻率：24~54MHZ

尺寸：1.6*1.2mm

該系列1612貼片晶振,小型,超薄型具備強(qiáng)防焊裂性,石英晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).

訂購熱線：0755-27876201

日本精工愛普生晶振接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為[愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)水晶元器件(蘇州)有限公司]愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)(Epson Toyocom)是精工愛普生株式會(huì)社與愛普生晶振(中國)有限公司共同投資成立的有限責(zé)任公司(外商合資).

愛普生晶振公司已經(jīng)建立了一個(gè)原始的垂直整合制造模型的最佳手段持續(xù)為客戶創(chuàng)造新的價(jià)值,并決定使用這個(gè)模型來驅(qū)動(dòng)前面提到的四個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新.這意味著從頭開始創(chuàng)建進(jìn)口高精度晶振產(chǎn)品:創(chuàng)建我們自己的獨(dú)特的核心技術(shù)和設(shè)備,使用這些作為基地的規(guī)劃和設(shè)計(jì)提供獨(dú)特價(jià)值的產(chǎn)品,生產(chǎn)或制造的藝術(shù)和科學(xué),我們積累了多年的專業(yè)知識(shí),然后生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振等出售給我們的客戶.

EPSON晶振,貼片晶振,FA-118T晶振,X1E0002510009晶振,貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌?chǎng)領(lǐng)域,小型,薄型是對(duì)應(yīng)陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性價(jià)比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

石英晶振多層,多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度,高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材,鍍幾種材料,幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).

愛普生晶振規(guī)格	單位	FA-118T晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	24.00MHZ~54.0MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.zk17.com.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	6pF~	超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±1× 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

FA-118T晶振參數(shù)

1.6 x 1.2 x 0.35 mm	FA-118T	27.120000 MHz	+/-30 ppm	+/-50 ppm	-20 to +75 °C	≤ 200 Ω	≤ 100 µW	+/-5ppm	Fundamental	Au
1.6 x 1.2 x 0.35 mm	FA-118T	26.000000 MHz	+/-10 ppm	+/-10 ppm	-20 to +75 °C	≤ 200 Ω	≤ 100 µW	+/-1ppm	Fundamental	Au
1.6 x 1.2 x 0.35 mm	FA-118T	27.120000 MHz	+/-50 ppm	+/-50 ppm	-20 to +85 °C	≤ 200 Ω	≤ 100 µW	+/-5ppm	Fundamental	Au
1.6 x 1.2 x 0.35 mm	FA-118T	26.000000 MHz	+/-10 ppm	+/-12 ppm	-20 to +75 °C	≤ 200 Ω	≤ 100 µW	+/-1ppm	Fundamental	Au
1.6 x 1.2 x 0.35 mm	FA-118T	37.400000 MHz	+/-10 ppm	+/-10 ppm	-20 to +85 °C	≤ 80 Ω	≤ 100 µW	+/-1ppm	Fundamental	Au
1.6 x 1.2 x 0.35 mm	FA-118T	37.400000 MHz	+/-10 ppm	+/-10 ppm	-20 to +70 °C	≤ 80 Ω	≤ 100 µW	+/-1ppm	Fundamental	Au
1.6 x 1.2 x 0.35 mm	FA-118T	37.400000 MHz	+/-7 ppm	+/-10 ppm	-30 to +85 °C	≤ 80 Ω	≤ 100 µW	+/-1ppm	Fundamental	Au
1.6 x 1.2 x 0.35 mm	FA-118T	40.000000 MHz	+/-10 ppm	+/-10 ppm	-20 to +75 °C	≤ 80 Ω	≤ 100 µW	+/-1ppm	Fundamental	Au
1.6 x 1.2 x 0.35 mm	FA-118T	25.000000 MHz	+/-30 ppm	+/-30 ppm	-20 to +75 °C	≤ 200 Ω	≤ 100 µW	+/-5ppm	Fundamental	Au
1.6 x 1.2 x 0.35 mm	FA-118T	30.000000 MHz	+/-20 ppm	+/-20 ppm	-20 to +75 °C	≤ 200 Ω	≤ 100 µW	+/-1ppm	Fundamental	Au
1.6 x 1.2 x 0.35 mm	FA-118T	24.000000 MHz	+/-10 ppm	+/-10 ppm	-20 to +75 °C	≤ 200 Ω	≤ 100 µW	+/-1ppm	Fundamental	Au
1.6 x 1.2 x 0.35 mm	FA-118T	32.000000 MHz	+/-10 ppm	+/-12 ppm	-20 to +75 °C	≤ 100 Ω	≤ 100 µW	+/-1ppm	Fundamental	Au
1.6 x 1.2 x 0.35 mm	FA-118T	52.000000 MHz	+/-15 ppm	+/-12 ppm	-20 to +75 °C	≤ 80 Ω	≤ 100 µW	+/-1ppm	Fundamental	Au
1.6 x 1.2 x 0.35 mm	FA-118T	25.000000 MHz	+/-30 ppm	+/-30 ppm	-20 to +75 °C	≤ 200 Ω	≤ 100 µW	+/-5ppm	Fundamental	Au

FA-118T 1612

FA-118晶振編碼

X1E0002510009	1.6 x 1.2 x 0.35mm	FA-118T	27.120000 MHz	+/-50 ppm	-20 to +75 °C	≤ 200 Ω	≤ 100 µW	+/-5ppm	Fundamental	Au
X1E0002510011	1.6 x 1.2 x 0.35mm	FA-118T	26.000000 MHz	+/-10 ppm	-20 to +75 °C	≤ 200 Ω	≤ 100 µW	+/-1ppm	Fundamental	Au
X1E0002510013	1.6 x 1.2 x 0.35mm	FA-118T	27.120000 MHz	+/-50 ppm	-20 to +85 °C	≤ 200 Ω	≤ 100 µW	+/-5ppm	Fundamental	Au
X1E0002510014	1.6 x 1.2 x 0.35mm	FA-118T	26.000000 MHz	+/-12 ppm	-20 to +75 °C	≤ 200 Ω	≤ 100 µW	+/-1ppm	Fundamental	Au
X1E0002510016	1.6 x 1.2 x 0.35mm	FA-118T	37.400000 MHz	+/-10 ppm	-20 to +85 °C	≤ 80 Ω	≤ 100 µW	+/-1ppm	Fundamental	Au
X1E0002510017	1.6 x 1.2 x 0.35mm	FA-118T	37.400000 MHz	+/-10 ppm	-20 to +70 °C	≤ 80 Ω	≤ 100 µW	+/-1ppm	Fundamental	Au
X1E0002510031	1.6 x 1.2 x 0.35mm	FA-118T	37.400000 MHz	+/-10 ppm	-30 to +85 °C	≤ 80 Ω	≤ 100 µW	+/-1ppm	Fundamental	Au
X1E0002510032	1.6 x 1.2 x 0.35mm	FA-118T	40.000000 MHz	+/-10 ppm	-20 to +75 °C	≤ 80 Ω	≤ 100 µW	+/-1ppm	Fundamental	Au
X1E0002510034	1.6 x 1.2 x 0.35mm	FA-118T	25.000000 MHz	+/-30 ppm	-20 to +75 °C	≤ 200 Ω	≤ 100 µW	+/-5ppm	Fundamental	Au
X1E0002510035	1.6 x 1.2 x 0.35mm	FA-118T	30.000000 MHz	+/-20 ppm	-20 to +75 °C	≤ 200 Ω	≤ 100 µW	+/-1ppm	Fundamental	Au
X1E0002510046	1.6 x 1.2 x 0.35mm	FA-118T	24.000000 MHz	+/-10 ppm	-20 to +75 °C	≤ 200 Ω	≤ 100 µW	+/-1ppm	Fundamental	Au
X1E0002510050	1.6 x 1.2 x 0.35mm	FA-118T	32.000000 MHz	+/-12 ppm	-20 to +75 °C	≤ 100 Ω	≤ 100 µW	+/-1ppm	Fundamental	Au
X1E0002510056	1.6 x 1.2 x 0.35mm	FA-118T	52.000000 MHz	+/-12 ppm	-20 to +75 °C	≤ 80 Ω	≤ 100 µW	+/-1ppm	Fundamental	Au
X1E0002510057	1.6 x 1.2 x 0.35mm	FA-118T	25.000000 MHz	+/-30 ppm	-20 to +75 °C	≤ 200 Ω	≤ 100 µW	+/-5ppm	Fundamental	Au

愛普生FA-118T晶振自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊:

石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品.請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響.條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件.同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等.

每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng)

陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品

在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品(陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品)之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開裂).尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法.

(1)陶瓷包裝石英晶振

在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝石英晶振時(shí),在溫度長時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性.

(2)陶瓷封裝貼片晶振

在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝SMD晶振時(shí),在溫度長時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性.

(3)柱面式產(chǎn)品

產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會(huì)導(dǎo)致在無源石英貼片晶振引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂(開裂),也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞.當(dāng)石英晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時(shí),應(yīng)在這種場(chǎng)景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂.當(dāng)該引腳需修復(fù)時(shí),請(qǐng)勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正.在該密封部分上施加一定壓力,會(huì)導(dǎo)致氣密性受到損壞.所以在此處請(qǐng)不要施加壓力.另外,為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上.EPSON晶振,貼片晶振,FA-118T晶振,X1E0002510009晶振

愛普生晶振環(huán)保理念:

EPSON晶振盡可能的采用無害的原材料和生產(chǎn)技術(shù),避免有害物質(zhì)的產(chǎn)生,比如消耗臭氧層物質(zhì),溫室氣體及其它污染物.集團(tuán)公司同時(shí)將致力于這些物質(zhì)的收集和回收,最小化有害原料的使用.

根據(jù)需要,提高環(huán)境技術(shù),材料和有源晶振產(chǎn)品的發(fā)展信息及環(huán)境管理活動(dòng)的公開性.

愛普生晶振公司的目標(biāo)是保證產(chǎn)品繼續(xù)滿足客戶要求的同時(shí)對(duì)環(huán)境的影響降到最小,在生產(chǎn)過程中不斷節(jié)約能源和資源,努力實(shí)現(xiàn)環(huán)境管理體系與環(huán)境行為持續(xù)改進(jìn).

承諾保護(hù)環(huán)境,重視員工,客戶和公眾的健康和安全.我們從事任何活動(dòng),都要以注重安全和環(huán)保方式,并考慮到生態(tài)系統(tǒng)的復(fù)雜性和相關(guān)性.

建立目標(biāo)指標(biāo),監(jiān)測(cè)程序,利用最好的管理手段,應(yīng)用節(jié)約成本的技術(shù),持續(xù)改進(jìn)我們的環(huán)境表現(xiàn).我們承諾采取積極的,預(yù)防性的戰(zhàn)略管理來對(duì)自然環(huán)境和地方社區(qū)的影響最小化.EPSON晶振,貼片晶振,FA-118T晶振,X1E0002510009晶振

FA-118T晶振 X1E0002510009晶振超小體積1612晶振

采購：EPSON晶振,貼片晶振,FA-118T晶振,X1E0002510009晶振

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: EPSON晶振,FA-238A晶振,AEC-Q200晶振; 該系列1612貼片晶振,小型,超薄型具備強(qiáng)防焊裂性,石英晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).

: 愛普生晶振,貼片晶振,FA-20H晶振,Q24FA20H00001晶振; 小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,

: 愛普生晶振,貼片晶振,TSX-3225晶振,X1E0000210161晶振; 3225晶振適用于汽車電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴性最適合用于汽車電子部件,晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).