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愛普生晶振,貼片晶振,FA-20H晶振,Q24FA20H00001晶振

頻率：12~54MHZ

尺寸：2.5*2.0mm

小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,

訂購熱線：0755-27876201

愛普生晶振公司已經(jīng)建立了一個(gè)原始的垂直整合制造模型的最佳手段持續(xù)為客戶創(chuàng)造新的價(jià)值,并決定使用這個(gè)模型來驅(qū)動(dòng)前面提到的四個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新.這意味著從頭開始創(chuàng)建產(chǎn)品:創(chuàng)建我們自己的獨(dú)特的核心技術(shù)和設(shè)備,使用這些作為基地的規(guī)劃和設(shè)計(jì)提供獨(dú)特價(jià)值的產(chǎn)品,生產(chǎn)或制造的藝術(shù)和科學(xué),我們積累了多年的專業(yè)知識(shí),然后生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振等出售給我們的客戶.

愛普生晶振公司加強(qiáng)人力資源的全功能,技術(shù),生產(chǎn),銷售和支持和環(huán)境問題,利用信息技術(shù),推進(jìn)我們的原始制造模式尋求實(shí)現(xiàn)我們的愿景.視野下就像我提到的,我們的目標(biāo)是使用我們的技術(shù)來創(chuàng)建一個(gè)新的連接人的時(shí)代,事物和信息,這樣我相信我們可以成為不可或缺的公司為我們的客戶和社會(huì).

愛普生晶振,貼片晶振,FA-20H晶振,Q24FA20H00001晶振,2520貼片晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費(fèi)電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點(diǎn),產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接(產(chǎn)品無鉛對(duì)應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品.

石英晶振的切割設(shè)計(jì):用不同角度對(duì)晶振的石英晶棒進(jìn)行切割'可獲得不同特性的石英晶片'通常我們把晶振的石英晶片對(duì)晶棒坐標(biāo)軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶體諧振器目前主要使用的有AT切,BT切.其它切型還有 CT.DT.GT.NT 等.

愛普生晶振規(guī)格	單位	FA-20H晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	12.00MHZ~54.0MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.zk17.com.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	6pF~	超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

FA-20H晶振參數(shù)

FA-20H	18.000000 MHz	+/-10 ppm	+/-20 ppm	-30 to +85 °C	≤ 80 Ω	≤ 100 µW	+/-1ppm	Fundamental	Au
FA-20H	40.000000 MHz	+/-10 ppm	+/-18 ppm	-20 to +70 °C	≤ 40 Ω	≤ 100 µW	+/-1ppm	Fundamental	Au
FA-20H	26.000000 MHz	+/-10 ppm	+/-10 ppm	-20 to +75 °C	≤ 60 Ω	≤ 100 µW	+/-1ppm	Fundamental	Au
FA-20H	26.000000 MHz	+/-10 ppm	+/-10 ppm	-20 to +70 °C	≤ 60 Ω	≤ 100 µW	+/-1ppm	Fundamental	Au
FA-20H	48.000000 MHz	+/-50 ppm	+/-30 ppm	-20 to +70 °C	≤ 40 Ω	≤ 100 µW	+/-3ppm	Fundamental	Au
FA-20H	40.000000 MHz	+/-10 ppm	+/-15 ppm	-20 to +75 °C	≤ 40 Ω	≤ 100 µW	+/-1ppm	Fundamental	Au
FA-20H	40.000000 MHz	+/-10 ppm	+/-15 ppm	-20 to +75 °C	≤ 40 Ω	≤ 100 µW	+/-1ppm	Fundamental	Au
FA-20H	40.000000 MHz	+/-10 ppm	+/-15 ppm	-20 to +75 °C	≤ 40 Ω	≤ 100 µW	+/-1ppm	Fundamental	Au
FA-20H	40.000000 MHz	+/-10 ppm	+/-15 ppm	-20 to +75 °C	≤ 40 Ω	≤ 100 µW	+/-1ppm	Fundamental	Au
FA-20H	40.000000 MHz	+/-10 ppm	+/-10 ppm	-20 to +70 °C	≤ 40 Ω	≤ 100 µW	+/-1ppm	Fundamental	Au

FA-20H 2520 FA-20H晶振編碼

Q24FA20H00001

2.5 x 2 x 0.55mm

FA-20H

18.000000 MHz

10 pF

+/-10 ppm

+/-20 ppm

-30 to +85 °C

≤ 80 Ω

≤ 100 µW

+/-1ppm

Fundamental

Q24FA20H00003

2.5 x 2 x 0.55mm

FA-20H

40.000000 MHz

9 pF

+/-10 ppm

+/-18 ppm

-20 to +70 °C

≤ 40 Ω

≤ 100 µW

+/-1ppm

Fundamental

Q24FA20H00005

2.5 x 2 x 0.55mm

FA-20H

26.000000 MHz

9 pF

+/-10 ppm

-20 to +75 °C

≤ 60 Ω

≤ 100 µW

+/-1ppm

Fundamental

Q24FA20H00006

2.5 x 2 x 0.55mm

FA-20H

26.000000 MHz

10 pF

+/-10 ppm

-20 to +70 °C

≤ 60 Ω

≤ 100 µW

+/-1ppm

Fundamental

Q24FA20H00008

2.5 x 2 x 0.55mm

FA-20H

48.000000 MHz

7 pF

+/-50 ppm

+/-30 ppm

-20 to +70 °C

≤ 40 Ω

≤ 100 µW

+/-3ppm

Fundamental

Q24FA20H00029

2.5 x 2 x 0.55mm

FA-20H

40.000000 MHz

8 pF

+/-10 ppm

+/-15 ppm

-20 to +75 °C

≤ 40 Ω

≤ 100 µW

+/-1ppm

Fundamental

Q24FA20H00031

2.5 x 2 x 0.55mm

FA-20H

40.000000 MHz

9 pF

+/-10 ppm

+/-15 ppm

-20 to +75 °C

≤ 40 Ω

≤ 100 µW

+/-1ppm

Fundamental

Q24FA20H00036

2.5 x 2 x 0.55mm

FA-20H

40.000000 MHz

11.5 pF

+/-10 ppm

+/-15 ppm

-20 to +75 °C

≤ 40 Ω

≤ 100 µW

+/-1ppm

Fundamental

Q24FA20H00037

2.5 x 2 x 0.55mm

FA-20H

40.000000 MHz

12 pF

+/-10 ppm

+/-15 ppm

-20 to +75 °C

≤ 40 Ω

≤ 100 µW

+/-1ppm

Fundamental

Q24FA20H00038

2.5 x 2 x 0.55mm

FA-20H

40.000000 MHz

12 pF

+/-10 ppm

-20 to +70 °C

≤ 40 Ω

≤ 100 µW

+/-1ppm

Fundamental

Q24FA20H00039

2.5 x 2 x 0.55mm

FA-20H

26.000000 MHz

9 pF

-9/+11 ppm

-10/+8 ppm

-20 to +75 °C

≤ 60 Ω

≤ 100 µW

+/-1ppm

Fundamental

Q24FA20H00041

2.5 x 2 x 0.55mm

FA-20H

19.200000 MHz

10 pF

+/-30 ppm

+/-50 ppm

-20 to +75 °C

≤ 80 Ω

≤ 100 µW

+/-1ppm

Fundamental

Q24FA20H00043

2.5 x 2 x 0.55mm

FA-20H

40.000000 MHz

7 pF

+/-30 ppm

-20 to +75 °C

≤ 40 Ω

≤ 100 µW

+/-1ppm

Fundamental

Q24FA20H00044

2.5 x 2 x 0.55mm

FA-20H

16.000000 MHz

9 pF

+/-10 ppm

+/-12 ppm

-20 to +75 °C

≤ 80 Ω

≤ 100 µW

+/-1ppm

Fundamental

Q24FA20H00047

2.5 x 2 x 0.55mm

FA-20H

40.000000 MHz

8.5 pF

+/-15 ppm

-20 to +85 °C

≤ 40 Ω

≤ 100 µW

+/-1ppm

Fundamental

Q24FA20H00049

2.5 x 2 x 0.55mm

FA-20H

26.000000 MHz

9 pF

+/-30 ppm

+/-10 ppm

-20 to +75 °C

≤ 60 Ω

≤ 100 µW

+/-1ppm

Fundamental

Q24FA20H00050

2.5 x 2 x 0.55mm

FA-20H

32.000000 MHz

16 pF

+/-10 ppm

+/-25 ppm

-40 to +85 °C

≤ 50 Ω

≤ 100 µW

+/-1ppm

Fundamental

FA-20H晶振以下各項(xiàng)注意事項(xiàng)

所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)

1:抗沖擊

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.

2:輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時(shí)間的照射.

3:化學(xué)制劑/pH值環(huán)境

請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解貼片晶振晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.

4:粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）

5:鹵化合物

請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.

6:靜電

過高的靜電可能會(huì)損壞SMD晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.愛普生晶振,貼片晶振,FA-20H晶振,Q24FA20H00001晶振

EPSON晶振環(huán)保理念:

愛普生晶振集團(tuán)將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的質(zhì)量.

愛普生晶振集團(tuán)公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律,法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進(jìn)行環(huán)境保護(hù),將建立自己的特有的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn).

精工愛普生晶振集團(tuán)將在溫補(bǔ)晶振,貼片晶振等各領(lǐng)域內(nèi)的商務(wù)運(yùn)作中實(shí)施持續(xù)改進(jìn),包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等.

EPSON晶振盡可能的采用無害的原材料和生產(chǎn)技術(shù),避免有害物質(zhì)的產(chǎn)生,比如消耗臭氧層物質(zhì),溫室氣體及其它污染物.集團(tuán)公司同時(shí)將致力于這些物質(zhì)的收集和回收,最小化有害原料的使用.

根據(jù)需要,提高環(huán)境技術(shù),材料和產(chǎn)品的發(fā)展信息及環(huán)境管理活動(dòng)的公開性.愛普生晶振,貼片晶振,FA-20H晶振,Q24FA20H00001晶振

FA-20H晶振 Q24FA20H00001晶振車載晶振

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