增益和驅(qū)動電平

增加

為了確保在錯誤的晶體模式下沒有寄生或振蕩，建議確保環(huán)路增益剛好足以確保在最壞情況下的滿意操作。僅是晶體在其活動極限時振蕩所需的2到3倍的增益裕度極限應(yīng)該足夠了。

驅(qū)動電平

低頻晶體，特別是微型晶體，很容易被過度驅(qū)動損壞，如果VHF晶體不在校準(zhǔn)時的驅(qū)動電平的至少一個數(shù)量級內(nèi)工作，就會顯示出明顯的頻率偏移。如果需要高度的穩(wěn)定性，建議不要超過制造商建議的最大驅(qū)動水平。精密頻率標(biāo)準(zhǔn)通常以低于一微瓦的頻率運(yùn)行高頻晶體，由AGC電路而不是有源器件本身的限制作用保持在這個水平。

如果可能的話，在考慮下一階段的需求之前，電路應(yīng)該針對穩(wěn)定性、增益和驅(qū)動電平進(jìn)行優(yōu)化。只要考慮阻抗水平，就可以從電路的各個部分提取信號；振蕩器電路的過度負(fù)載將影響穩(wěn)定性和增益裕度。

實(shí)用電路

低于150千赫茲

形成同相放大器的兩個接地發(fā)射極晶體管提供了在這些頻率下保證晶體低活性振蕩所必需的增益。L1和C2儲能電路應(yīng)針對最大輸出進(jìn)行調(diào)整，提供一些選擇性，并防止錯誤晶體模式下的振蕩。二極管D1和D2將晶體驅(qū)動限制在標(biāo)準(zhǔn)晶體的安全水平。對于微調(diào)頻率，Cc可以是微調(diào)器，其中間值應(yīng)該大約等于平行校準(zhǔn)晶體的負(fù)載電容。

低于150千赫茲

形成同相放大器的兩個接地發(fā)射極晶體管提供了在這些頻率下保證晶體低活性振蕩所必需的增益。L1和C2儲能電路應(yīng)針對最大輸出進(jìn)行調(diào)整，提供一些選擇性，并防止錯誤晶體模式下的振蕩。二極管D1和D2將晶體驅(qū)動限制在標(biāo)準(zhǔn)晶體的安全水平。對于微調(diào)頻率，Cc可以是微調(diào)器，其中間值應(yīng)該大約等于平行校準(zhǔn)晶體的負(fù)載電容。

150千赫至550千赫

這是一個阻抗反轉(zhuǎn)皮爾斯振蕩器，它抑制了DT和CT切割晶體的主要雙頻寄生模式。為了與在并聯(lián)諧振下校準(zhǔn)的晶體一起使用，C1可以被等于晶體負(fù)載電容的電容器代替。L1被調(diào)整用于同頻操作。

950至21MHz

這是一個帶有串聯(lián)微調(diào)的考皮茨振蕩器。Ca、Cb和微調(diào)器的中間值的串聯(lián)組合，如果需要的話，加上它的并聯(lián)填充電容，應(yīng)該等于晶體負(fù)載電容。在較高頻率下，晶體管和雜散電容的分流效應(yīng)應(yīng)該允許5pF左右。如果調(diào)諧到諧波的LC槽插入晶體管集電極，你可以提取晶體諧波頻率。這種情況下的輸出應(yīng)該取自收集器。

21至105赫茲

上述電路分別適用于第三和第五泛音晶體，描述了阻抗反相、科爾皮茨振蕩器。隨著晶體被旁路電容器暫時分流，L1最初應(yīng)該被調(diào)整，使得在其最小值，在晶體頻率出現(xiàn)自由振蕩。如果晶體正偏移少量(根據(jù)晶體公差和可用電感擺動，10 - 40 ppm )，L1將允許精確的頻率設(shè)置。可以實(shí)現(xiàn)諧波提取，如低頻科爾皮茨電路所述。

105兆赫以上

高于105兆赫茲的振蕩器電路設(shè)計很困難，我們建議使用類似于上述電路的接地振蕩器。lo用于調(diào)諧晶體C0，否則會引起寄生振蕩。理想情況下，頻率上的操作應(yīng)該與最大輸出一致，L1應(yīng)該被調(diào)諧到最大輸出。L1還可以提供有限的修整范圍，并且可以用與晶體串聯(lián)的修剪器同時進(jìn)行調(diào)節(jié)。所需要的精密公差晶體以及各種電路相移使得用其特性已經(jīng)被預(yù)先精確測量的樣品晶體進(jìn)行實(shí)驗(yàn)成為可能。任何必要的頻率偏移都可以寫入晶體規(guī)格。為了避免寄生振蕩，VHF電路布局實(shí)踐是必不可少的。同樣重要的是，確保反射回晶體管集電器箱的負(fù)載可以有額外的電容抽頭來實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，保持總電容處于相同的順序，或者一些“真實(shí)”電阻可以與之并聯(lián)。

這是一種常用的電路，采用TTL反相器或AT - cut晶體柵極。由于元件成本低，這是一個流行的電路，PCB上總是有備用反相器，可以作為時鐘振蕩器投入使用。然而，讓這種裝置工作有時會令人沮喪，因?yàn)檫@些裝置從未打算用作線性放大器。電容器C2 (可以是微調(diào)器)旨在抵消逆變器的有效串聯(lián)電阻，而不是充當(dāng)晶體的負(fù)載電容器。在高頻時，C2可能必須太小，才能正確執(zhí)行此功能。不幸的是，C3的存在加劇了滯后相移問題，這是防止快速波前激發(fā)晶體三泛音模式所必需的；低于8MHz可能會造成麻煩。如果打算進(jìn)行第三泛音操作，而不是C1僅僅是一個耦合電容器，那么它可以是一個低值，以便充當(dāng)高通濾波器。可能更好的是，此時將是一個串聯(lián)LC罐。

對于基模晶體，選擇C3，以便第三泛音被抑制，加倍以確保安全，然后選擇C2給出同頻振蕩。不同IC的參數(shù)可能有很大差異，所以最好嘗試不同的品牌，堅持最有效的品牌。換句話說，要小心，用大約10nF將電源盡可能靠近IC去耦，如果可能的話，對輸出使用不同的封裝

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