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IDT晶振,貼片晶振,8N3DV85晶振

頻率：15.476~1300MHz

尺寸：7.0*5.0mm

外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動(dòng)石英晶體檢測(cè)儀,以及跌落,漏氣等苛刻實(shí)驗(yàn).產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性.

訂購(gòu)熱線：0755-27876201

IDT晶振集團(tuán) 提供石英晶體振蕩器 (XO) 和 FemtoClock® NG 可編程振蕩器,能滿足幾乎任何應(yīng)用的需求. XL 和 XU 晶體振蕩器產(chǎn)品系列是高性能、低抖動(dòng)時(shí)鐘源,具有低至 300 fs 的典型 RMS 相位抖動(dòng),并可提供多種頻率、性能級(jí)別、輸出類(lèi)型、穩(wěn)定性、輸入電壓、封裝、引腳配置和溫度等級(jí). 對(duì)于尋求在標(biāo)準(zhǔn)振蕩器封裝中提供高性能和無(wú)可比擬的靈活性的時(shí)鐘源的高級(jí)系統(tǒng)設(shè)計(jì)者而言,FemtoClock NG 器件是他們的理想選擇.

IDT晶振,貼片晶振,8N3DV85晶振 ,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計(jì)特別是外形尺寸的設(shè)計(jì)是首要需解決的技術(shù)問(wèn)題，公司在此方面通過(guò)理論與實(shí)踐相結(jié)合，模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)程序，該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。

型號(hào)	符號(hào)	8N3DV85(7050)
輸出規(guī)格	-	LV-PECL
輸出頻率范圍	fo	15.476~1300MHz
電源電壓	V_CC	+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V
頻率公差（含常溫偏差）	f_tol	±50×10^-6 max., ±100×10^-6 max.
保存溫度范圍	T_stg	-40?+85℃
運(yùn)行溫度范圍	T_use	-10?+70℃ ,-40?+85℃
消耗電流	I_CC	45mA max. (fo≦170MHz)
待機(jī)時(shí)電流（＃1引腳"L"）	I_std	10μA max.
輸出負(fù)載	Load-R	50Ω to V_CC-2V
波形對(duì)稱	SYM	45?55% [at outputs cross point]
0電平電壓	V_OL	V_CC-1.81?V_CC-1.62V
1電平電壓	V_OH	V_CC-1.025?V_CC-0.88V
上升時(shí)間下降時(shí)間	tr, tf	0.5ns max. [20?80% Output, OutputN]
差分輸出電壓	V_OD1, V_OD2	-
差分輸出誤差	⊿V_OD	-
補(bǔ)償電壓	V_OS	-
補(bǔ)償電壓誤差	⊿V_OS	-
交叉點(diǎn)電壓	Vcr	-
OE端子0電平輸入電壓	V_IL	V_CC×0.3 max.
OE端子1電平輸入電壓	V_IH	V_CC×0.7 min.
輸出禁用時(shí)間	tPLZ	200ns
輸出使能時(shí)間	tPZL	2ms
周期抖動(dòng)（1）	tRMS	5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)
周期抖動(dòng)（1）	tp-p	33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)
總抖動(dòng)（1）	tTL	50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10^-12) (2)]
相位抖動(dòng)	tpj	1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。

產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會(huì)導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂（開(kāi)裂）,也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當(dāng)石英晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時(shí),應(yīng)在這種場(chǎng)景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當(dāng)該引腳需修復(fù)時(shí),請(qǐng)勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會(huì)導(dǎo)致氣密性受到損壞。所以在此處請(qǐng)不要施加壓力。另外,為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。
IDT晶振環(huán)保方針:

IDT晶振集團(tuán)盡可能的采用無(wú)害的石英晶振,貼片晶振,壓電石英晶體原材料和生產(chǎn)技術(shù),避免有害物質(zhì)的產(chǎn)生,比如消耗臭氧層物質(zhì)、溫室氣體及其它污染物.集團(tuán)公司同時(shí)將致力于這些物質(zhì)的收集和回收,最小化有害原料的使用.IDT 晶振環(huán)境影響的最小化：遵照社會(huì)的期望,改進(jìn)我們的環(huán)境行為,我們將通過(guò)有效利用森林、能源以及其它資源,減少各種形式的廢物來(lái)實(shí)現(xiàn)這一承諾.

環(huán)境管理體系：在每一個(gè)運(yùn)行部門(mén),實(shí)施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財(cái)力保障.每年我們都將建立可測(cè)量的環(huán)境管理以及行為改進(jìn)的目標(biāo)和指標(biāo). 環(huán)境行為評(píng)價(jià)：評(píng)價(jià)我們運(yùn)行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認(rèn)支撐著本方針的成績(jī).我們將向我們的員工提供信息,以及能夠?qū)⒎结樑c各自工作職責(zé)完全結(jié)合的培訓(xùn).IDT晶振,貼片晶振,8N3DV85晶振.

8N3D085晶振 IDT石英晶振有源晶振

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