京瓷晶振集團(tuán)在全球的事業(yè)涉及原料、零件、設(shè)備、機(jī)器,以及服務(wù)、網(wǎng)絡(luò)等各個(gè)領(lǐng)域。在集團(tuán)內(nèi)部,若將相關(guān)的有源晶振,壓控晶體振蕩器, 晶振,石英晶振, 石英晶體振蕩器等產(chǎn)品和事業(yè)視為一條生產(chǎn)線,其開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售以及物流等等,所有程序都被有機(jī)地結(jié)合起來(lái),并且有效地利用現(xiàn)有經(jīng)營(yíng)資源,通過(guò)發(fā)揮協(xié)同效應(yīng),使其構(gòu)筑得更加牢固。
京瓷晶振,貼片晶振,CT2016DB晶振,普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤(pán),可在自動(dòng)貼片機(jī)上對(duì)應(yīng)自動(dòng)貼裝等優(yōu)勢(shì).
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。
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京瓷晶振規(guī)格 |
單位 |
CT2016DB晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
19200~60000MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +105°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
7pF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
設(shè)計(jì)指導(dǎo)
(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來(lái)使用。
(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料。
存儲(chǔ)事項(xiàng)
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容)。
(2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
KYOCERA晶振環(huán)保方針:
京瓷晶振的各項(xiàng)能源、資源消耗指標(biāo)和排放指標(biāo)達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平。實(shí)施創(chuàng)新戰(zhàn)略,提高自主創(chuàng)新能力,確保公司可持續(xù)發(fā)展。實(shí)施節(jié)約戰(zhàn)略,提高建設(shè)節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力,確保實(shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標(biāo)。
京瓷晶振致力于環(huán)境保護(hù),包括預(yù)防污染。在產(chǎn)品的規(guī)劃到制造、運(yùn)行維修等整個(gè)過(guò)程中,努力提供環(huán)保型的產(chǎn)品和服務(wù)。在業(yè)務(wù)活動(dòng)中,努力節(jié)約資源并節(jié)省能源,致力于減少?gòu)U棄物和再生資源的回收利用。在積極公開(kāi)有關(guān)環(huán)境的信息的同時(shí),通過(guò)支持環(huán)保活動(dòng),廣泛地為社會(huì)作貢獻(xiàn).京瓷晶振,貼片晶振,CT2016DB晶振.



TXC晶振,貼片晶振,7S晶振
高利奇晶振,貼片晶振,CC5V晶振
Jauch晶振,貼片晶振,JTX410晶振
Vectron晶振,貼片晶振,VXB1晶振
康納溫菲爾德晶振,貼片晶振,TX211晶振
NDK晶振,貼片晶振,NZ2016SD晶振
BQCSA-60M3-DCBGT,Bliley百利晶振,6G通信晶振
HE-MCC-6A-30.000F-12-30PPM,6035mm,HEC石英晶振,30MHZ
美國(guó)HEC晶振,2012mm,HE-MCC-21-32.768K-12.5,32.768KHZ
FCD-Tech智能穿戴晶振,F1612A,F1612A‐20‐20‐D‐30‐F‐24.000MHz,1612mm


