頻率元件的類別可分為多中類別,其中晶振就是其中一個(gè)類別,也即是石英晶體諧振器、陶瓷諧振器,石英晶體諧振元件和陶瓷諧振元件都是利用具有壓電效應(yīng)的晶體片而制成的諧振元件。這種壓電晶體片當(dāng)受到外加交變電場(chǎng)的作用時(shí)會(huì)產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng)，當(dāng)交變電場(chǎng)的頻率與壓電晶體片的固有頻率相同時(shí)，振動(dòng)便變得十分強(qiáng)烈，這就是壓電晶體諧振特性的反映。

如何測(cè)量聲表面波振蕩器的相位噪聲

Rakon晶振集團(tuán)SAW振蕩器在高于300MHz的頻率下表現(xiàn)出優(yōu)異的相位噪聲性能。

這種相位噪聲的測(cè)量不明顯。最常見(jiàn)的技術(shù)是使用PLL將被測(cè)振蕩器的相位噪聲與具有相似或優(yōu)越噪聲性能的參考振蕩器進(jìn)行比較。倍增晶體振蕩器不是測(cè)量ULN SAW濾波器的合適參考振蕩器，因?yàn)樵谙嗤l率下，它的噪聲基底通常大于SAW振蕩器的噪聲基底。

類似于被測(cè)SAW濾波器的SAW振蕩器是當(dāng)今最好的參考振蕩器。測(cè)量的相位噪聲是兩個(gè)晶體振蕩器(被測(cè)振蕩器和參考振蕩器)的相位噪聲的平方和。如果我們假設(shè)每個(gè)振蕩器的噪聲貢獻(xiàn)相等，那么DUT的相位噪聲是測(cè)量的相位噪聲減去3db。

試驗(yàn)臺(tái)的殘余相位噪聲也可能主要在噪聲基底水平上影響測(cè)量的相位噪聲。這就是為什么測(cè)試臺(tái)制造商提出多通道測(cè)量和/或互相關(guān)技術(shù)，以消除由于測(cè)試臺(tái)的限制。

rakon在以下測(cè)試臺(tái)上進(jìn)行了聲表面濾波器相位噪聲測(cè)量:

比較測(cè)量的主要結(jié)論如下:

最好的結(jié)果是使用DCNTS。對(duì)于每個(gè)通道和公共DUT(RF輸入)的LO，使用3個(gè)類似的ULN SO，雙通道測(cè)量和互相關(guān)技術(shù)完全消除了殘余噪聲和測(cè)試臺(tái)的限制(殘余噪聲基底大約為-195dBc/Hz)。測(cè)量的PN是被測(cè)器件的真實(shí)PN。leeson的模型完全符合測(cè)量結(jié)果。

PN9000可以被描述為DCNTS的一個(gè)信道。使用2個(gè)相似的ULN SO作為參考(LO)和DUT，顯示的PN是兩個(gè)振蕩器的PN+測(cè)試臺(tái)的剩余PN的平方和。噪聲基底的限制在-175dBc/Hz左右。每個(gè)石英晶體振蕩器的單獨(dú)PN不能直接實(shí)現(xiàn)。然而，它等于或優(yōu)于顯示的曲線。

e5052b不適合測(cè)量ULN SO的PN值。作為DUT，只需要1ULN SO，但是測(cè)試臺(tái)的內(nèi)部基準(zhǔn)(從乘以XO得出)限制了相位噪聲測(cè)量在[2kHz-300kHz范圍內(nèi)的偏移，即使有10，000個(gè)相關(guān)(“過(guò)夜測(cè)量”)。繪制的相位噪聲僅代表DUT的近偏移或遠(yuǎn)偏移的相位噪聲。對(duì)于[2kHz-300kHz范圍內(nèi)的偏移，顯示的PN是內(nèi)部參考的PN。

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